AO4801A

更新时间： 2024-11-20 03:45:31

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美国万代 - AOS		晶体晶体管场效应晶体管 PC
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描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4801A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.87
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1193898	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：	SOIC-8	Samacsys Released Date：	2020-03-27 05:39:23
Is Samacsys：	N	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

AO4801A 数据手册

AO4801A

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

V_DS(V) = -30V

The AO4801A uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications. Standard Product AO4801A is Pb-free

(meets ROHS & Sony 259 specifications)

I_D=-5.6A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 42mΩ (V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 52mΩ (V_GS= 4.5V)

R_DS(ON)< 75mΩ (V_GS= 2.5V)

UIS TESTED!

Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

SOIC-8

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 Sec

Steady State

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-30

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^AF

Pulsed Drain Current ^B

Avalanche Current ^B

±12

T_A=25°C

T_A=70°C

5.6

4.5

4.2

3.4

I_DSM

I_DM

-30

I_AR

Repetitive avalanche energy L=0.3mH ^B

E_AR

T_A=25°C

2.0

1.3

1.1

0.7

P_DSM

Power Dissipation

T_A=70°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Symbol

Typ

Max

62.5

110

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

Maximum Junction-to-Ambient

Steady-State

R_θJL

Maximum Junction-to-Lead

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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