AO4718

更新时间： 2024-10-30 12:51:31

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美国万代 - AOS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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30V N-Channel MOSFET

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AO4718 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO4718 数据手册

AO4718

30V N-Channel MOSFET

SRFET

General Description

Features

SRFET ^TMThe AO4718 uses advanced trench

technology with a monolithically integrated

Schottky diode to provide excellent R_DS(ON),and

low gate charge. This device is suitable for use

as a low side FET in SMPS, load switching and

general purpose applications.

V_DS(V) = 30V

I_D=15A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 9mΩ (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 14mΩ (V_GS= 4.5V)

100% UIS Tested

100% Rg Tested

SOIC-8

Top View

Bottom View

SRFET^TM

Soft Recovery MOSFET:

Integrated Schottky Diode

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current ^AF

Pulsed Drain Current ^B

Avalanche Current ^B

I_DSM

I_DM

I_AS, I_AR

E_AS, E_AR

Avalanche energy L=0.3mH ^B

T_A=25°C

3.1

P_D

T_A=70°C

Power Dissipation

2.0

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

Maximum Junction-to-Lead ^C

R_θJL

Steady-State

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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