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AO4600

更新时间： 2024-11-18 03:45:31
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美国万代 - AOS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 268K
描述
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4600 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.81Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AO4600 数据手册

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AO4600  
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
n-channel  
VDS (V) = 30V  
p-channel  
-30V  
The AO4600 uses advanced trench technology to  
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The  
complementary MOSFETs form a high-speed power  
inverter, suitable for a multitude of applications.  
Standard Product AO4600 is Pb-free (meets ROHS  
& Sony 259 specifications). AO4600L is a Green  
Product ordering option. AO4600 and AO4600L are  
electrically identical.  
ID = 6.9A (VGS = 10V) -5A (VGS = -10V)  
RDS(ON)  
< 27mΩ  
< 32mΩ  
< 50mΩ  
< 49mΩ (VGS =- 10V)  
< 64mΩ (VGS =- 4.5V)  
< 120mΩ (VGS = -2.5V)  
D1  
D2  
S2  
1
2
3
4
8
7
6
5
S2  
G2  
S1  
G1  
D2  
D2  
D1  
D1  
G1  
G2  
S1  
SOIC-8  
p-channel  
n-channel  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Max n-channel  
Max p-channel Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A  
30  
±12  
-30  
±12  
V
V
VGS  
TA=25°C  
TA=70°C  
6.9  
-5  
A
ID  
5.8  
-4.2  
Pulsed Drain CurrentB  
IDM  
40  
-30  
TA=25°C  
TA=70°C  
2
2
PD  
W
Power Dissipation  
1.44  
-55 to 150  
1.44  
-55 to 150  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel  
Parameter  
Symbol  
Typ  
Max  
62.5  
110  
40  
Units  
Maximum Junction-to-AmbientA  
48  
74  
35  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t ≤ 10s  
RθJA  
Maximum Junction-to-AmbientA  
Steady-State  
Maximum Junction-to-LeadC  
Steady-State  
RθJL  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
1234567

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