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AO4498

更新时间： 2024-11-20 12:51:31

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美国万代 - AOS		/
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6页	191K
描述
30V N-Channel MOSFET

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AO4498 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.98
Base Number Matches：	1

AO4498 数据手册

AO4498

30V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS(V) = 30V

I_D= 18A

The AO4498 combines advanced trench MOSFET

technology with a low resistance package to provide

extremely low R_DS(ON). This device is ideal for load

switch and battery protection applications.

(V_GS= 10V)

(V_GS= 4.5V)

R_DS(ON)< 5.5mΩ

R_DS(ON)< 7.5mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

SOIC-8

Top View

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25°C

T_C=70°C

Continuous Drain

Current

I_D

Pulsed Drain Current ^C

Avalanche Current ^C

I_DM

I_AR

140

Repetitive avalanche energy L=0.1mH ^C

E_AR

3.1

T_C=25°C

Power Dissipation ^B

T_C=70°C

P_D

°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

Steady-State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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