AO4496L

更新时间： 2024-10-02 13:05:35

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	211K
描述
Transistor

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AO4496L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

AO4496L 数据手册

AO4496

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO4496/L uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. This

device is suitable for use as a DC-DC converter

application. AO4496 and AO4496L are electrically

identical.

V_DS(V) = 30V

I_D= 10A

R_DS(ON)< 19.5mΩ (V_GS= 10V)

(V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 26mΩ

(V_GS= 4.5V)

UIS TESTED!

Rg, Ciss, Coss, Crss Tested

-RoHS Compliant

-AO4496L is Halogen Free

SOIC-8

Absolute Maximum Ratings T_J=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

Pulsed Drain Current ^B

Avalanche Current ^G

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

7.5

I_DM

I_AR

E_AR

Repetitive avalanche energy L=0.1mH ^G

T_A=25°C

Power Dissipation ^A

T_A=70°C

3.1

P_D

2.0

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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