AO4447AL

更新时间： 2024-09-13 06:37:15

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美国万代 - AOS		晶体晶体管场效应晶体管
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5页	167K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4447AL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.55
Base Number Matches：	1

AO4447AL 数据手册

AO4447AL

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO4447AL uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)with low gate charge.This

device is ideal for load switch and battery protection

applications.

V_DS(V) = -30V

I_D= -17A

R_DS(ON)< 7mΩ

(V_GS= -10V)

(V_GS= -4.5V)

(V_GS= -4V)

_DS(ON)< 8mΩ

_DS(ON)< 9mΩ

-RoHS Compliant

-Halogen Free

ESD Protected!

SOIC-8

Absolute Maximum Ratings T_J=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

-30

±20

V_GS

Gate-Source Voltage

T_A=25°C

T_A=70°C

-17

Continuous Drain

Current

Pulsed Drain Current ^C

I_D

-13

I_DM

-160

3.1

T_A=25°C

T_A=70°C

Power Dissipation ^B

P_D

2.0

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^AD

Maximum Junction-to-Lead

t ≤ 10s

R_θJA

Steady State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AO4447L	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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