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AO4410

更新时间： 2024-11-19 17:15:19

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	1608K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:18A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:5.5mΩ@10V;漏源导通电阻:6.2mΩ@4.5V

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AO4410 数据手册

UMW

UMW AO4410

N-Channel MOSFET

■ Features

● V^{DS (V)}= 30V

● ID = 18 A (V^GS= 10V)

● R^DS(ON)＜ 5.5mΩ (V^GS= 10V)

● R^DS(ON)＜ 6.2mΩ (V^GS= 4.5V)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

±12

Gate-Source Voltage

TA=25℃

TA=70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

3.1

TA=25℃

TA=70℃

t ≤ 10s

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

thJA

thJL

Steady-State

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

stg

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6

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