AO4409

更新时间： 2024-11-17 22:05:43

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	223K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4409 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.03
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AO4409 数据手册

Nov 2002

AO4409

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO4409 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), and ultra-low low gate

charge. This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.

V_DS(V) = -30V

I_D= -15 A

Max R_DS(ON)< 7.5mΩ (V_GS= -10V)

Max R_DS(ON)< 12mΩ (V_GS= -4.5V)

SOIC-8

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-30

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±20

-15

-12.8

-80

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

I_DM

Pulsed Drain Current ^B

T_A=25°C

T_A=70°C

2.1

P_D

Power Dissipation ^A

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

t ≤ 10s

Steady-State

R_θJA

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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