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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> AO4407A
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AO4407A

更新时间： 2024-11-20 03:45:31
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4407A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.7
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：827638Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO8Samacsys Released Date：2017-08-31 08:33:05
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AO4407A 数据手册

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AO4407A  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AO4407A uses advanced trench technology to  
provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge  
with a 25V gate rating. This device is suitable for use as  
a load switch or in PWM applications. Standard Product  
AO4407A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259  
specifications).  
VDS = -30V  
ID = -12A  
RDS(ON) < 11mΩ (VGS = -20V)  
RDS(ON) < 13mΩ (VGS = -10V)  
RDS(ON) < 38mΩ (VGS = -10V)  
(VGS = -10V)  
UIS TESTED!  
RG, CISS, COSS, CRSS TESTED!  
D
SOIC-8  
Top View  
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
10 Sec  
Steady State  
-30  
Units  
Drain-Source Voltage  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A  
Pulsed Drain Current B  
Avalanche Current G  
±25  
V
TA=25°C  
TA=70°C  
-12  
-10  
-9.2  
-7.4  
ID  
A
IDM  
IAR  
EAR  
-60  
26  
Repetitive avalanche energy L=0.3mH G  
mJ  
W
101  
TA=25°C  
Power Dissipation A  
TA=70°C  
3.1  
2.0  
1.7  
1.1  
PD  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Lead C  
Symbol  
Typ  
32  
Max  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t ≤ 10s  
RθJA  
Steady State  
Steady State  
60  
75  
RθJL  
17  
24  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com  
1234

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AO4407A 替代型号

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