AO3434

更新时间： 2024-11-18 06:37:15

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	171K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO3434 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.052 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AO3434 数据手册

AO3434

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO3434 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)and low gate charge.

This device is suitable for use as a load switch or

in PWM applications. It is ESD protected.

Standard Product AO3434 is Pb-free (meets

ROHS & Sony 259 specifications).

V_DS(V) = 30V

I_D= 4.2A

(V_GS= 10V)

(V_GS= 4.5V)

_DS(ON)< 52mΩ

_DS(ON)< 75mΩ

ESD Protected

TO-236

(SOT-23)

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Maximum

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol 10 sec

V_DS

Steady-State

Units

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A,F

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

4.2

3.3

3.5

2.8

I_D

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

1.4

0.9

1.0

P_D

Power Dissipation

0.64

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

100

Max

125

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Steady-State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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