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AO3423A

更新时间: 2024-11-19 17:15:27
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友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
3页 388K
描述
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-20V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-2A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:120mΩ@-4.5V

AO3423A 数据手册

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R
UMW  
UMW AO3423A  
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS  
P-Channel 20-V(D-S) MOSFET  
AO3423A  
V(BR)DSS  
-20 V  
RDS(on)MAX  
ID  
120mΩ@-4.5V  
150mΩ@-2.5V  
-2A  
FEATURE  
APPLICATION  
TrenchFET Power MOSFET  
ESD Protected 2.0KV  
Load Switch for Portable Devices  
DC/DC Converter  
MARKING  
Equivalent Circuit  
SOT23  
1. GATE  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
Maximum ratings ( Ta=25unless otherwise noted)  
Parameter Symbol  
Value  
-20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
V
A
±12  
Continuous Drain Current  
Pulsed Diode Curren  
-2  
IDM  
PD  
-18  
Power Dissipation  
1.4  
W
Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤5s)  
Operating Junction  
RθJA  
TJ  
125  
/W  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
-55~+150  
www.umw-ic.com  
1
友台半导体有限公司  

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