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AO3423

更新时间： 2024-10-15 18:09:31

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SOT-23

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AO3423 数据手册

AO3423

LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL)

FEATURES

 Low on-resistance:V_DS=-20V,R_DS(ON)≤92mΩ@V_GS=-10V,I_D=-2A

 Low gate charge and ESD protection

 For Load switch applications

 Surface Mount device

SOT-23

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.008 grams (approximate)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

Value

-20

±12

Unit

V_GS

T_A= 25°C

Continuous drain current(T_J= 150°C)

T_A= 70°C

-2

I_D

Pulsed drain current

Continuous Source-Drain Diode current

I_DM

I_S

-17

-1.5

1.4

T_A= 25°C

Power dissipation

T_A= 70°C

P_D

0.9

Thermal resistance from Junction to ambient

Junction temperature

Storage temperature

R_θJA

T_J

T_STG

125

150

-55 ~+150

°C/W

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Drain-Source breakdown voltage

Symbol Min

Typ

Max Unit

Conditions

V =0V, I =-250μA

V(BR)DSS*

-20

-1

-5

±10

-1.2

μA

V_DS=-20V,

V^GS=0V

V^GS=0V,T_J= 55°C

Zero gate voltage drain current

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

I_D(ON)

Gate-body leakage current

Gate-threshold voltage

On state drain current

μA V_DS=0V,

mΩ

VGS=±12V

-0.5 -0.85

-17

V =V , I =-250μA

V_DS=-5V,

V^GS=-4.5V

118

166

VGS=-10V, ID=-2A

VGS=-4.5V, ID=-2A

Drain-source on-resistance

R_DS(ON)

128

6.8

11.2

V =-2.5V, I =-1A

g_FS

R_g

Forward transconductance

Gate resistance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Turn-on rise time

Turn-off delay time

Turn-off fall time

Total gate charge

Gate-source charge

Gate-drain charge

Diode forward voltage

Maximum Body-Diode Continuous Current

Body Diode Reverse Recovery Time

Body Diode Reverse Recovery Charge

V =-5V, I =-2A

400

V_{DS=0V, VGS=0V, f=1MHz}

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_SD

I_S

t_rr

Q_rr

250

325

V_{DS=-10V, VGS=0V, f=1MHz}

5.5

VDS=-10V,VGS=-10V,

RGEN=3Ω,RL=5Ω

3.2

0.6

0.9

4.5

VDS=-10V,VGS=-4.5V,ID=-2A

IS=-1.6A, VGS=0V

-1.2

-1.5

6.1

1.4

IF=-2A, dI/dt=100A/ s

Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% .

1 / 6

E-mail:hkt@heketai.com

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