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AO3400A

更新时间： 2024-11-19 12:51:27

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美国万代 - AOS		/
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描述
30V N-Channel MOSFET

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AO3400A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.9
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.7 A	最大漏源导通电阻：	0.0265 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO3400A 数据手册

AO3400A

30V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

30V

The AO3400A combines advanced trench MOSFET

technology with a low resistance package to provide

extremely low R_DS(ON). This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

5.7A

< 26.5mΩ

< 32mΩ

< 48mΩ

R_DS(ON)(at V_GS= 4.5V)

R_DS(ON)(at V_GS= 2.5V)

SOT23

Top View

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±12

T_A=25°C

T_A=70°C

5.7

Continuous Drain

Current

I_D

4.7

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

P_D

1.4

T_A=25°C

T_A=70°C

°C

Power Dissipation ^B

0.9

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

≤ 10s

125

R_θJA

Steady-State

100

R_θJL

Rev 3: Dec 2011

www.aosmd.com

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