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AN1A4Z-P

更新时间： 2024-02-01 17:18:29

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日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN

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技术参数
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AN1A4Z-P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	6000 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

AN1A4Z-P 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

AN1A4Z

on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

On-chip bias resistor

(R¹= 10 kΩ)

•

Complementary transistor with AA1A4Z

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

−60

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−50

−5

−100

−200

250

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −50 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

−100

600

Unit

−

V^CE= −5.0 V, I^C= −5.0 mA

V^CE= −5.0 V, I^C= −50 mA

I^C= −5.0 mA, I^B= −0.25 mA

V^CE= −5.0 V, I^C= −100 µA

V^CE= −0.2 V, I^C= −5.0 mA

h^FE1**

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^IL**

V^IH**

R¹

135

100

190

170

−

DC current gain

−0.07

−0.57

−0.9

−0.2

−0.5

Collector saturation voltage

Low level input voltage

High level input voltage

Input resistance

−2.0

kΩ

µs

7.0

13.0

0.2

5.0

6.0

V^CC= −5.0 V, R^L= 1.0 kΩ

V^I= −5.0 V, PW = 2.0 µs

duty cycle≤2 %

Turn-on time

t^on

Storage time

t^stg

Turn-off time

t^off

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE1

135 to 270

200 to 400

300 to 600

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Document No. D16166EJV0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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