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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 频带： | X BAND | 最大阻抗： | 250 Ω |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 最大噪声指数： | 6 dB |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 脉冲输入最大功率： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AMP9001-23 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9001-44 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9001-51 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9001-800 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9001-860 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9001-91 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9002 | ASI |
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Diode, |
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| AMP9002-01 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9002-19 | ASI |
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Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon, |
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| AMP9002-23 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon, |
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