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A43E26161V-95U

更新时间: 2024-02-05 14:28:29
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联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
44页 1119K
描述
1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM

A43E26161V-95U 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.45Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):105 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

A43E26161V-95U 数据手册

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A43E26161  
1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM  
Document Title  
1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
1.0  
Initial issue  
September 13, 2004 Preliminary  
December 15, 2004 Final  
Final version release  
(December, 2004, Version 1.0)  
AMIC Technology, Corp.  

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