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A428316S-35

更新时间: 2024-02-06 03:54:07
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 270K
描述
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

A428316S-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ40,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:35 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40JESD-609代码:e0
长度:26.04 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:3.66 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.105 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

A428316S-35 数据手册

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A428316 Series  
Preliminary  
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE  
Document Title  
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
Initial issue  
June 13, 2001  
April 26, 2002  
June 10, 2002  
August 20, 2002  
Preliminary  
Modify AC data  
Modify DC data and all parts guarantee self-refresh mode  
Delete -30,-40 grade and add -25 grade  
PRELIMINARY (August, 2002, Version 0.3)  
AMIC Technology, Inc.  

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