Datasheet > 存储 > DRAM> A426316BV-40

A426316BV-40

更新时间： 2024-02-10 22:29:33

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
25页	406K
描述
64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

A426316BV-40 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.48	Is Samacsys：	N
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	40 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

A426316B Series

Preliminary

64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Document Title

64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

Remark

0.0

Initial issue

November 15, 2000

Preliminary

PRELIMINARY (November, 2000, Version 0.0)

AMIC Technology, Inc.

12 3 4 5 6 7...25

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A426316BV-40L	AMICC	64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
A4264B/2SUR/S530-A3	EVERLIGHT	3mm 2Pcs Circuit Board Indicator	获取价格
A4264B-2SUR-S530-A3	EVERLIGHT	3mm 2Pcs Circuit Board Indicator	获取价格
A4264B-2SYG-S530-E2	EVERLIGHT	3mm 1Pcs Circuit Board Indicator	获取价格
A4264B-2SYG-S530-E2-C199	EVERLIGHT	3mm 1Pcs Circuit Board Indicator	获取价格
A42716-000	MACOM	RAYCHEM Tubing Products	获取价格