AM83135-001

更新时间： 2024-11-17 22:08:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管开关射频微波雷达局域网
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

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AM83135-001 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	0.45 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最小功率增益 (Gp)：	5.2 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM83135-001 数据手册

AM83135-001

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

S-BAND RADAR APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

10:1 VSWR CAPABILITY

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_OUT= 1.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN

.400 x .400 2NLFL (S042)

hermetically sealed

ORDER CODE

AM83135-001

BRANDING

83135-1

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The AM83135-001 device is a medium power sili-

con bipolar NPN transistor specifically designed

for S-Band radar pulsed driver applications.

This device is capable of operation over a wide

range of pulse widths, duty cycles and tempera-

tures and can withstand a 10:1 output VSWR.

Low RF thermal resistance, refractory/gold metal-

lization, and automatic wire bonding techniques

ensure high reliability and product consistency.

The AM83135-001 is supplied int the AMPAC

Hermetic/Ceramic package with internal In-

put/Output impedance matching circuitry, and is

intended for military and other high reliability ap-

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

Unit

11.5

0.45

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤100°C)

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

−

65 to +200

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

13.0

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/5

February 3, 1997

12 3 4 5

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