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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | DIE, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 系列： | LS |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N20 | 负载电容（CL）： | 15 pF |
| 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER | 位数： | 4 |
| 功能数量： | 2 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 输出特性： | 3-STATE | |
| 输出极性： | INVERTED | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIE | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 最大电源电流（ICC）： | 21 mA |
| 传播延迟（tpd）： | 17 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | TTL | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM82022-020 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, M214, 2 PIN |
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| AM8204 | AITSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8204E6R | AITSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8204E6VR | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8205 | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8205E6R | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8205E6VR | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8205TMX8R | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8205TMX8VR | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AM8208 | AITSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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