AM7434N

更新时间： 2024-11-09 12:52:19

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ANALOGPOWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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5页	372K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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AM7434N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.0049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM7434N 数据手册

Analog Power

AM7434N

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

Key Features:

r_DS(on)(mΩ)

VDS (V)

ID(A)

• Low r_DS(on)trench technology

• Low thermal impedance

• Fast switching speed

4.9 @ V_GS= 10V

5.9 @ V_GS= 4.5V

Typical Applications:

DFN5X6-8L

• White LED boost converters

• Automotive Systems

• Industrial DC/DC Conversion Circuits

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain Current ^a

Pulsed Drain Current ^b

Continuous Source Current (Diode Conduction) ^a

I_D

I_DM

I_S

100

6.8

T_A=25°C

T_A=70°C

Power Dissipation ^a

P_D

°C

3.2

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol Maximum Units

t <= 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient ^a

°C/W

R_θJA

Notes

Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Pulse width limited by maximum junction temperature

Publication Order Number:

DS_AM7434N_1A

12 3 4 5

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