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AM7200-35PC

更新时间: 2024-11-27 22:05:43
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超微 - AMD 存储先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
16页 811K
描述
HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT (FIFO) 256 X 9-BIT CMOS MEMORY

AM7200-35PC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.8
最长访问时间:35 ns其他特性:RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK):22.2 MHz周期时间:45 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:37.084 mm内存密度:2304 bit
内存集成电路类型:OTHER FIFO内存宽度:9
功能数量:1端子数量:28
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X9
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.715 mm
最大待机电流:0.005 A子类别:FIFOs
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

AM7200-35PC 数据手册

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