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AM4830NS

更新时间： 2022-05-18 20:15:02
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ANALOGPOWER /
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5页 224K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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AM4830NS 数据手册

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Analog Power  
AM4830NS  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) m(Ω)  
ID (A)  
13  
11  
These miniature surface mount MOSFETs utilize a  
high cell density trench process to provide low  
rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat  
dissipation. Typical applications are DC-DC  
converters and power management in portable and  
battery-powered products such as computers,  
printers, PCMCIA cards, cellular and cordless  
telephones.  
13.5 @ VGS = 10V  
20 @ VGS = 4.5V  
30  
SCHOTTKYPRODUCT SUMMARY  
V (V)  
SD  
V (V)  
IF(A)  
DS  
Diode ForwardVoltage  
30  
0.61 V@3.0A  
3.0  
SOIC-8  
Top View  
•
•
Low rDS(on) provides higher efficiency and  
extends battery life  
Low thermal impedance copper leadframe  
SOIC-8 saves board space  
Fast switching speed  
High performance trench technology  
D
8
7
6
5
D
D
D
D
S
S
S
G
1
2
3
4
K
A
Schottky  
Diode  
•
•
G
N-Channel  
MOSFET  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 oC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
30  
±20  
±13  
±11  
±50  
2.3  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
TA=25oC  
TA=70oC  
Continuous Drain Currenta  
Pulsed Drain Currentb  
ID  
A
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Power Dissipationa  
A
TA=25oC  
TA=70oC  
3.1  
2.2  
PD  
W
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg -55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
RθJA  
Maximum Units  
Maximum Junction-to-Casea  
oC/W  
25  
t <= 5 sec  
t <= 5 sec  
Maximum Junction-to-Ambienta  
50  
oC/W  
Notes  
a.  
b.  
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Pulse width limited by maximum junction temperature  
1
Publication Order Number:  
DS-AM4830NS_E  
PRELIMINARY  
12345

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