是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | MO-142B, TSOP-56 |
针数: | 56 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.33 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | BOTTOM/TOP | JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 56 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV640ML101EI | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorB | |
AM29LV640ML101EI | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory | |
AM29LV640ML101EIN | SPANSION |
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暂无描述 | |
AM29LV640ML101FF | SPANSION |
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Flash, 4MX16, 100ns, PDSO56, REVERSE, MO-142B, TSOP-56 | |
AM29LV640ML101FI | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory | |
AM29LV640ML101FI | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorB | |
AM29LV640ML101FIN | SPANSION |
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Flash Memory, | |
AM29LV640ML101PCF | SPANSION |
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暂无描述 | |
AM29LV640ML101PCI | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory | |
AM29LV640ML101PCI | AMD |
获取价格 |
64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorB |