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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-64 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.29 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM/TOP |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM29LV640MH120PCI | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorB |
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| AM29LV640MH120PCI | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29LV640MH120PCIN | SPANSION |
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暂无描述 |
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| AM29LV640MH120R | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29LV640MH120REF | SPANSION |
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暂无描述 |
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| AM29LV640MH120REI | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorB |
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| AM29LV640MH120REI | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29LV640MH120RFF | SPANSION |
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Flash, 4MX16, 120ns, PDSO56, REVERSE, MO-142EC, TSOP-56 |
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| AM29LV640MH120RFI | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorB |
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| AM29LV640MH120RFI | SPANSION |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
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