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AM29LV040B-60RJFB

更新时间： 2024-11-26 18:18:39

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	720K
描述
Flash, 512KX8, 60ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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AM29LV040B-60RJFB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.54	最长访问时间：	60 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

AM29LV040B-60RJFB 数据手册

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Am29LV040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Unlock Bypass Program Command

— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write

operations for battery-powered applications

— Reduces overall programming time when issuing

multiple program command sequences

— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and

write operations and for compatibility with high

performance 3.3 volt microprocessors

■ Embedded Algorithms

— Embedded Erase algorithms automatically

preprogram and erase the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.32 µm process technology

■ High performance

— Embedded Program algorithms automatically

writes and verifies data at specified addresses

— Full voltage range: access times as fast as 70 ns

— Regulated voltage range: access times as fast as

60 ns

■ Minimum 1,000,000 write/erase cycles

guaranteed

■ 20-year data retention at 125°C

— Reliable operation for the life of the system

■ Package option

■ Ultra low power consumption (typical values at

5 MHz)

— Automatic sleep mode: 1 µA

— Standby mode: 1 µA

— 32-pin PLCC

— Read mode: 7 mA

— 32-pin TSOP

— Program/erase mode: 15 mA

■ Compatibility with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with single-

power supply Flash

■ Flexible sector architecture

— Eight 64 Kbyte sectors

— Superior inadvertent write protection

— Any combination of sectors can be erased;

supports full chip erase

■ Data# Polling and toggle bits

— Sector Protection features:

— Provides a software method of detecting program

or erase cycle completion

Hardware method of locking a sector to prevent

any program or erase operations within that sector

■ Erase Suspend/Resume

Sectors can be locked via programming

equipment

— Supports reading data from or programming data

to a sector not being erased

Publication# 21354 Rev: D Amendment/0

Issue Date: November 11, 1999

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AM29LV040B-60RJIB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 60ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AM29LV040B-60RJK	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-70EC	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-70ECB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV040B-70ED	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-70EDB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV040B-70EE	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-70EEB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32
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