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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.29 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| 启动块： | BOTTOM | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 28.2 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.8 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 13.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29LV008B-120 | AMD | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Sectored Flash Memory |
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| AM29LV008B-120EC | CYPRESS | Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40, TSOP-40 |
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| AM29LV008B-120EE | CYPRESS | Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40, TSOP-40 |
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| AM29LV008B-120EEB | CYPRESS | Flash Memory, |
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| AM29LV008B-120EI | CYPRESS | Flash Memory, |
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| AM29LV008B-120FC | CYPRESS | Flash Memory, |
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