是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP-40 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.38 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
启动块: | BOTTOM | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV004B-150EI | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150EIB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150EKB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 150ns, PDSO40, TSOP-40 | |
AM29LV004B-150FC | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150FCB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150FE | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150FEB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150FF | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 150ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 | |
AM29LV004B-150FI | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV004B-150FIB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |