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AM29LV002T-90RFCB

更新时间： 2024-02-25 01:22:35
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存
页数 文件大小 规格书
34页 422K
描述
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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AM29LV002T-90RFCB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：REVERSE, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.33最长访问时间：90 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

AM29LV002T-90RFCB 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29LV002  
2 Megabit (256 K x 8-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Embedded Algorithms  
— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write  
operations for battery-powered applications  
— Embedded Erase algorithms automatically  
preprogram and erase the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read  
and write operations and for compatibility with  
high performance 3.3 volt microprocessors  
— Embedded Program algorithms automatically  
write and verify bytes or words at specified  
addresses  
■ High performance  
■ Typical 1,000,000 write cycles per sector  
— Full voltage range: access times as fast as 100  
ns  
(100,000 cycles minimum guaranteed)  
■ Package option  
— Regulated voltage range: access times as fast  
as 90 ns  
— 40-pin TSOP  
■ Ultra low power consumption (typical values at  
■ Compatibility with JEDEC standards  
5 MHz)  
— Pinout and software compatible with single-  
power supply Flash  
— Automatic Sleep Mode: 200 nA  
— Standby mode: 200 nA  
— Superior inadvertent write protection  
— Read mode: 10 mA  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Program/erase mode: 20 mA  
■ Flexible sector architecture  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
three 64 Kbyte sectors  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
— Supports control code and data storage on a  
single device  
■ Erase Suspend/Erase Resume feature  
— Sector Protection features:  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
— Hardware method to reset the device to the read  
mode  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
Publication# 21191 Rev: C Amendment/+2  
Issue Date: March 1998  
.
1
1234567...34

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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