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AM29LV001BT-70FCB

更新时间： 2025-07-15 05:26:39
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
38页 425K
描述
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

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AM29LV001BT-70FCB 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：REVERSE, TSOP-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.2
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：MIN 1000000 WRITE CYCLES; TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
JESD-30 代码：R-PDSO-G32内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

AM29LV001BT-70FCB 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29LV001B  
1 Megabit (128 K x 8-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Unlock Bypass Mode Program Command  
— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write  
operations for battery-powered applications  
— Reduces overall programming time when  
issuing multiple program command sequences  
— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and  
write operations and for compatibility with high  
performance 3.3 volt microprocessors  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
■ Embedded Algorithms  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
■ High performance  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Full voltage range: access times as fast as 55 ns  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— Regulated voltage range: access times as fast  
as 45 ns  
■ Minimum 1,000,000 write cycle guarantee per  
■ Ultra low power consumption (typical values at  
sector  
5 MHz)  
■ Package option  
— 200 nA Automatic Sleep mode current  
— 200 nA standby mode current  
— 7 mA read current  
— 32-pin TSOP  
— 32-pin PLCC  
■ Compatibility with JEDEC standards  
— 15 mA program/erase current  
— Pinout and software compatible with single-  
power supply Flash  
■ Flexible sector architecture  
— One 8 Kbyte, two 4 Kbyte, and seven 16 Kbyte  
— Supports full chip erase  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Sector Protection features:  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
Hardware method of locking a sector to prevent  
any program or erase operations within that  
sector  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
Sectors can be locked in-system or via  
programming equipment  
— Supports reading data from or programming  
data to a sector that is not being erased  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
— Hardware method for resetting the device to  
reading array data  
Publication# 21557 Rev: C Amendment/0  
Issue Date: April 1998  
1234567...38

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29LV001BT-70FD SPANSION

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, REVERSE, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV001BT-70FDB SPANSION

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32
AM29LV001BT-70FE AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV001BT-70FE SPANSION

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, REVERSE, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV001BT-70FEB AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV001BT-70FEB SPANSION

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32
AM29LV001BT-70FF SPANSION

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, REVERSE, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV001BT-70FFB SPANSION

获取价格

 		Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32
AM29LV001BT-70FI AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV001BT-70FIB AMD

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