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AM29F160DB90EE

更新时间: 2024-11-09 03:47:35
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飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 205K
描述
Flash, 2MX8, 90ns, PDSO48, TSOP-48

AM29F160DB90EE 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:SOP, TSSOP48,.8,20针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.9
最长访问时间:90 ns其他特性:CONFG AS 1M X 16; 1000K WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION 20 YEARS; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YES数据保留时间-最小值:20
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,31
端子数量:48字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:YES
类型:NOR TYPE

AM29F160DB90EE 数据手册

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