是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1-R, |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.23 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | 1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F040B-90JC | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90JCB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90JCT | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AM29F040B-90JD | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90JDB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AM29F040B-90JE | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 | |
AM29F040B-90JE | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90JEB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90JF | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 | |
AM29F040B-90JF | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |