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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | REVERSE, MO-142BD, TSOP-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.23 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM29F040B-90FKB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32 |
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| AM29F040B-90JC | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90JCB | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90JCT | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| AM29F040B-90JD | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90JDB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| AM29F040B-90JE | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 |
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| AM29F040B-90JE | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90JEB | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90JF | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 |
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