是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.77 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | 100K WRITE/ERASE CYCLES MIN |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 32 |
端子数量: | 48 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F016-120ECB | AMD |
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16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120ECB | SPANSION |
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Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29F016-120EE | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F016-120EEB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F016-120EI | AMD |
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16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120EI | SPANSION |
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Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29F016-120EIB | AMD |
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16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120EIB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29F016-120FC | AMD |
获取价格 |
16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120FC | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO44, SOP-44 |