是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, MO-015GAP, DIP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.51 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.037 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.715 mm |
部门规模: | 16K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F010B-70PK | SPANSION |
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1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F010B90DGC1 | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory-Die Revision 1 | |
AM29F010B-90DGC1 | SPANSION |
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Flash, 128KX8, 90ns, DIE-30 | |
AM29F010B-90DGD1 | SPANSION |
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Flash, 128KX8, 90ns, DIE-30 | |
AM29F010B90DGE1 | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory-Die Revision 1 | |
AM29F010B-90DGE1 | SPANSION |
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Flash, 128KX8, 90ns, DIE-30 | |
AM29F010B-90DGF1 | SPANSION |
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Flash, 128KX8, 90ns, DIE-30 | |
AM29F010B90DGI1 | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory-Die Revision 1 | |
AM29F010B-90DGI1 | SPANSION |
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Flash, 128KX8, 90ns, DIE-30 | |
AM29F010B-90DGK1 | SPANSION |
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Flash, 128KX8, 90ns, DIE-30 |