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AM29F002NBT-120PD

更新时间: 2024-11-04 13:22:55
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 762K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32

AM29F002NBT-120PD 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.52Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:TOP BOOT BLOCK
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e3
长度:42.037 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,3端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.715 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

AM29F002NBT-120PD 数据手册

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Am29F002B/Am29F002NB  
Data Sheet  
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Continuity of Specifications  
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Continuity of Ordering Part Numbers  
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For More Information  
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PHPRU\ꢀVROXWLRQVꢄ  
Publication Number 21527 Revision D Amendment +2 Issue Date August 3, 2005  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F002NBT-120PE SPANSION

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Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
AM29F002NBT-120PI SPANSION

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Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
AM29F002NBT-55 AMD

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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29F002NBT-55EC AMD

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