是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | LEAD FREE, MO-142BD, TSOP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.52 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | TOP BOOT BLOCK | 启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,3 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F002NBT-120JC | SPANSION |
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Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 | |
AM29F002NBT-120JD | SPANSION |
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AM29F002NBT-120JF | SPANSION |
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Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32 | |
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Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32 |