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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 8.6 |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22.86 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM27S33A | AMD | DISTINCTIVE CHARACTERISTICS |
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| AM27S33A/B2A | ROCHESTER | OTP ROM, 1KX4, 45ns, Bipolar, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
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| AM27S33A/B2C | ROCHESTER | OTP ROM, 1KX4, 45ns, Bipolar, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
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| AM27S33A/BVA | ROCHESTER | OTP ROM, 1KX4, 45ns, Bipolar, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 |
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| AM27S33ADC | ROCHESTER | OTP ROM, 1KX4, 35ns, Bipolar, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 |
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| AM27S33ADCB | ETC | x4 PROM |
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