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AM27C512-120DCB

更新时间： 2024-09-24 12:27:55

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罗彻斯特 - ROCHESTER		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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9页	611K
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512 Kilobit ( 64 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 55 ns

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AM27C512-120DCB 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37.1475 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	5.588 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM27C512-120DCB 数据手册

AM27C512

For complete Rochester ordering guide, please refer to page 2.

Please contact factory for speciﬁc package and speciﬁcation availability.

Rochester Electronics guarantees performance of its semiconductor products to the original OEM speciﬁcations. “Typical” values are for reference purposes

only. Certain minimum or maximum ratings may be based on product characterization, design, simulation, or sample testing. Rochester Electronics reserves

the right to make changes without further notice to any speciﬁcation herein.

Speciﬁcation Number AM27C512-CIM (A) REV B

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