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AM27C1024-200DC

更新时间： 2024-11-28 20:32:27

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飞索 - SPANSION		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
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12页	177K
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UVPROM, 64KX16, 200ns, CMOS, CDIP40, CERAMIC, DIP-40

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AM27C1024-200DC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.61
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T40
长度：	52.26 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.588 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM27C1024-200DC 数据手册

FINAL

Am27C1024

1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Speed options as fast as 55 ns

■ Low power consumption

— 20 µA typical CMOS standby current

■ JEDEC-approved pinout

— 40-Pin DIP/PDIP

— Typical programming time of 8 seconds

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

V_CC+ 1 V

■ High noise immunity

■ Versatile features for simple interfacing

— Both CMOS and TTL input/output compatibility

— Two line control functions

— 44-Pin PLCC

■ Single +5 V power supply

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C1024 is a 1 Megabit, ultraviolet erasable

programmable read-only memory. It is organized as 64

Kwords by 16 bits per word, operates from a single

+5 V supply, has a static standby mode, and features

fast single address location programming. Products are

available in windowed ceramic DIP packages, as well

as plastic one time programmable (OTP) PDIP and

PLCC packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 125 mW in active mode,

and 100 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-

sulting in a typical programming time of 8 seconds.

Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ15

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

CE#

Output

Buffers

Prog Logic

PGM#

Gating

Decoder

A0–A15

Address

Inputs

1,048,576

Bit Cell

Matrix

Decoder

06780J-1

Publication# 06780 Rev: J Amendment/0

Issue Date: May 1998

12 3 4 5 6 7...12

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