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AM2306E3SVR

更新时间： 2024-10-31 01:14:35

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创瑞 - AITSEMI		/
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8页	480K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AM2306E3SVR 数据手册

AM2306

MOSFET

AiT Semiconductor Inc.

www.ait-ic.com

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION

FEATURES

The AM2306 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)and low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch and PWM

applications.



V_DS= 30V,I_D= 5.8A

_DS(ON)< 31mΩ @ V_GS=10V

_DS(ON)< 43mΩ @ V_GS=4.5V



High Power and current handing capability

Surface mount package

The AM2306 is available in SOT-23S package.

Available in SOT-23S Package

APPLICATION



Load switch

PWM application

ORDERING INFORMATION

TYPICAL APPLICATION

Package Type

SOT-23S

Part Number

AM2306E3SR

AM2306E3SVR

E3S

V: Halogen free Package

R: Tape & Reel

Note

AiT provides all RoHS products

Schematic diagram

REV3.1

- MAR 2011 RELEASED, FEB 2017 UPDATED -

- 1 -

12 3 4 5 6 7 8

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