AM0912-300

更新时间： 2024-11-05 08:24:55

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RF POWER TRANSISTOR

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AM0912-300 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	24 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	940 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM0912-300 数据手册

AM0912-300

RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE - .400 2L FLG(A)

DESCRIPTION:

4x .062 x 45°

.040 x 45°

The ASI AM0912-300 is a Common

Base Transistor Designed for DME

and TACAN Pulse Power Amplifier

Applications.

2xB

2xR

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metallization

• Hermetic Package

• Input/Output Matching

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.135 / 3.43

.100 / 2.54

.050 / 1.27

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.145 / 3.68

.120 / 3.05

MAXIMUM RATINGS

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

24 A

50 V

I_C

V_CC

P_DISS

.193 / 4.90

.100 / 2.54

.490 / 12.45

.510 / 12.95

940 W @ T_C= ≤ 100 °C

.690 / 17.53

.890 / 22.61

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.710 / 18.03

.910 / 23.11

.006 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

-65 °C to +250 °C

-65 °C to +200 °C

0.16 °C/W

T_J

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 15 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

3.0

V_CB= 50 V

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 5.0 A

300

7.0

330

7.4

P_OUT

P_G

η_C

V_CC= 50 V

f = 960 to 1215 MHz

P_IN= 60 W

Pulse Width = 10 µS

Duty Cycle = 10%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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AM1/2S-0515SH30Z	AIMTEC	获取价格	DC/DC Converter; Product Weight (grams): 1.5
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