AM0912-150

更新时间： 2024-11-05 08:24:55

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FR POWER TRANSISTOR

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AM0912-150 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	16.5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM0912-150 数据手册

AM0912-150

RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE - .400 X .500 2L FLG

DESCRIPTION:

The ASI AM0912-150 is a Common

Base Transistor Designed for TCAS

and JTIDS Pulse Power Amplifier

Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metallization

• Hermetic Package

• Input/Output Matching

MAXIMUM RATINGS

16.5 A

35 V

I_C

V_CC

P_DISS

300 W @ T_C= ≤ 100 °C

-65 °C to +250 °C

-65 °C to +200 °C

0.57 °C/W

T_J

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 60 mA

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 35 V

BV_CES

BV_EBO

I_CES

3.5

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 5.0 A

300

7.0

330

7.4

P_OUT

P_G

η_C

V_CC= 35 V

f = 960 to 1215 MHz

P_IN= 26.7 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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