AM0912-080

更新时间： 2024-11-05 08:24:55

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描述
RF POWER TRANSISTOR

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AM0912-080 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	S-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	220 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM0912-080 数据手册

AM0912-080

RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI AM0912-080 is a Common

Base Transistor Designed for DME,

TACAN and IFF Pulse Power Amplifier

Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metallization

• Hermetic Package

• Input/Output Matching

PACKAGE - .400 x .400 2NLFL

MAXIMUM RATINGS

7.0 A

I_C

50 V

V_CB

P_DISS

220 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.80 ^OC/W

T_J

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTER

2 & 4 = BASE

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 40 mA

I_E= 10 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 10 Ω

3.0

V_CB= 50 V

---

h_FE

V_CE= 5 V

I_C= 2.0 A

120

8.4

100

P_OUT

P_G

η_C

V_CC= 50 V

f = 960 to 1215 MHz

P_IN= 13 W

Pulse Width = 10 µS

Duty Cycle = 10%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/2

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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