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AS4C256K16E0-35JC

更新时间: 2024-02-19 14:10:41
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ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 632K
描述
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)

AS4C256K16E0-35JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ40,.44
针数:40Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.69Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:35 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40JESD-609代码:e0
长度:26.0985 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:3.76 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4C256K16E0-35JC 数据手册

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AS4C256K16E0  
®
5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)  
Features  
• Refresh  
• Organization: 262,144 words × 16 bits  
- 512 refresh cycles, 8 ms refresh interval  
• High speed  
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh or self-refresh  
- Self-refresh option is available for new generation device  
only. Contact Alliance for more information.  
• Read-modify-write  
- 30/35/50 ns RAS access time  
- 16/18/25 ns column address access time  
- 7/10/10/10 ns CAS access time  
• Low power consumption  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• JEDEC standard packages  
- 400 mil, 40-pin SOJ  
- Active: 500 mW max (AS4C256K16E0-25)  
- Standby: 3.6 mW max, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)  
• EDO page mode  
- 400 mil, 40/44-pin TSOP II  
• 5V power supply  
• Latch-up current > 200 mA  
Pin arrangement  
Pin designation  
Pin(s)  
A0 to A8  
RAS  
Description  
TSOP II  
44  
SOJ  
VCC  
I/O0  
I/O1  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
Vcc  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vcc  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
A8  
A7  
Address inputs  
Row address strobe  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O0 to I/O15 Input/output  
OE  
Output enable  
UCAS  
LCAS  
WE  
Column address strobe, upper byte  
Column address strobe, lower byte  
Read/write control  
NC  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
VCC  
NC  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
WE  
RAS  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
Vcc  
LCAS  
UCAS  
OE  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
GND  
VCC  
GND  
Power (5V ± 0.5V)  
A6  
A5  
A4  
GND  
Ground  
Selection guide  
Symbol  
AS4C256K16E0-30  
AS4C256K16E0-35  
AS4C256K16E0-50  
Unit  
ns  
tRAC  
tCAA  
tCAC  
tOEA  
tRC  
30  
16  
35  
18  
50  
25  
Maximum RAS access time  
Maximum column address access time  
Maximum CAS access time  
ns  
10  
10  
10  
ns  
Maximum output enable (OE) access time  
Minimum read or write cycle time  
Minimum EDO page mode cycle time  
Maximum operating current  
10  
10  
10  
ns  
65  
70  
85  
ns  
tPC  
12  
14  
25  
ns  
ICC1  
ICC2  
180  
2.0  
160  
2.0  
140  
2.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
Shaded areas contain advance information.  
4/11/01; v.1.1  
Alliance Semiconductor  
1 of 24  
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