5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C1M16E5-60TI
AS4C1M16E5-60TI PDF预览

AS4C1M16E5-60TI

更新时间： 2024-02-23 03:27:38
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

阅读下载

获取价格

AS4C1M16E5-60TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.73Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J42JESD-609代码：e0
长度：27.31 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ42,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.76 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.135 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4C1M16E5-60TI 数据手册

 浏览型号AS4C1M16E5-60TI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4C1M16E5-60TI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C1M16E5-60TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C1M16E5-60TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C1M16E5-60TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C1M16E5-60TI的Datasheet PDF文件第7页 
AS4C1M16E5  
®
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)  
Features  
• 1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval  
• Organization: 1,048,576 words × 16 bits  
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh Read-modify-write  
• TTL-compatible, three-state DQ  
• JEDEC standard package and pinout  
- 400 mil, 42-pin SOJ  
• High speed  
- 45/50/60 ns RAS access time  
- 20/20/25 ns hyper page cycle time  
- 10/12/15 ns CAS access time  
• Low power consumption  
- Active: 740 mW max (AS4C1M16E5-60)  
- Standby: 5.5 mW max, CMOS DQ  
• Extended data out  
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II  
• 5V power supply (AS4C1M16E5)  
• 3V power supply (AS4LC1M16E5)  
• Industrial and commercial temperature available  
Pin designation  
Pin arrangement  
Pin(s)  
A0 to A9  
RAS  
Description  
TSOP II  
SOJ  
VCC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VCC  
VSS  
1
2
3
4
5
6
7
8
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
Address inputs  
Vcc  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Vcc  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
VSS  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
2
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
Row address strobe  
Input/output  
3
4
5
DQ1 to DQ16  
OE  
6
DQ5  
7
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
Output enable  
8
DQ6  
DQ7  
DQ8  
9
9
WE  
Write enable  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
10  
11  
NC  
NC  
NC  
WE  
LCAS  
UCAS  
OE  
UCAS  
LCAS  
Column address strobe, upper byte  
Column address strobe, lower byte  
Power  
RAS  
NC  
A9  
NC  
A8  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
A9  
A8  
VCC  
A0  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
VSS  
Ground  
A3  
A4  
Vcc  
VSS  
A7  
A6  
A1  
A2  
A3  
VCC  
23  
24  
25  
A5  
A4  
VSS  
28  
27  
26  
Selection guide  
Symbol  
tRAC  
tAA  
-45  
45  
-50  
50  
-60  
60  
Unit  
ns  
Maximum RAS access time  
Maximum column address access time  
Maximum CAS access time  
23  
25  
30  
ns  
tCAC  
tOEA  
tRC  
10  
12  
15  
ns  
Maximum output enable (OE) access time  
Minimum read or write cycle time  
Minimum hyper page mode cycle time  
Maximum operating current  
12  
13  
15  
ns  
75  
80  
100  
25  
ns  
tHPC  
ICC1  
ICC5  
20  
20  
ns  
155  
1.0  
145  
1.0  
135  
1.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 22  
Copyright ©Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...22

下载PDF

与AS4C1M16E5-60TI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4C1M16F5 ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

获取价格
AS4C1M16F5-45JC ALSC Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

获取价格
AS4C1M16F5-45TC ALSC Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

获取价格
AS4C1M16F5-50JC ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

获取价格
AS4C1M16F5-50JI ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

获取价格
AS4C1M16F5-50TC ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

获取价格

与AS4C1M16E5-60TI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证