Datasheet > AL-402

AL-402

更新时间： 2024-02-02 16:46:22

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	198K
描述
Infrared Emitting Diodes(GaAlAs)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AL-402 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	2 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
峰值波长：	910 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAlAs	光谱带宽：	5e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	NO
视角：	12 deg	Base Number Matches：	1

AL-402 数据手册

Infrared Emitting Diodes(GaAlAs)

K O D E N S H I

A L - 4 0 2

DIMENSIONS

(Unit : mm)

The AL- 402 is a hig h- p o we r G a AlAs IRED, with

precis ion optical des igned attachment lens . It emits

parallel infrared lights.

FEATURES

• Parallel rays

• Low profile

• sidelooking plastic package

APPLICATIONS

• E n c o d e r s

• Emitters for automatic focusing

MAXIMUM RATINGS

( T a = ℃2 )5

I t e m

S y m b o Rl a t i n g U n i t

Reverse voltage

Forward current

m A

1 0 0

Pulse forward current

Power dissipation

Operating temp.

Storage temp.

0 . 3

1 5 0

m W

℃

T o p r .

T s t g .

T s o l .

2 5 ~ + 7 0

3 0 ~ + 8 0

2 4 0

℃

Soldering temp.

℃

*1. For MAX.5 seconds at the position of 2 mm from the package

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS

( T a = ℃2 )5

I t e m

Forward voltage

Reverse current

C a p a c i t a n c e

Radiant intensity

Peak emission wavelength

Spectral bandwidth 50%

Half angle

S y m b o l

C t

C o n d i t i o n s

M i n . T y p .

1 . 4

M a x .

U n i t .

I = 5 0 m A

2 . 0

1 0

μA

p F

m W / s r

n m

V = 5 V

f = 1 M H z

I = 5 0 m A

2 0

2 . 2

9 1 0

5 0

λ p

Δ λ

1 2

d e g .

m m

Ø 3 . 9

Effective emitting diameter

- 1-

下载PDF

与AL-402相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AL422	ETC	3M-Bits FIFO Field Memory	获取价格
AL422B	AVERLOGIC	3M-Bit Frame Buffer	获取价格
AL422B_V01	AVERLOGIC	3M-Bits FIFO Field Memory	获取价格
AL422B-PBF	AVERLOGIC	3M-Bits FIFO Field Memory	获取价格
AL422V3	ETC	AL422 3M-Bits FIFO Field Memory	获取价格
AL422V5	ETC	AL422 3M-Bits FIFO Field Memory	获取价格