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AIKW50N65DH5XKSA1

更新时间: 2024-11-05 19:49:03
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英飞凌 - INFINEON
页数 文件大小 规格书
16页 1908K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

AIKW50N65DH5XKSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:39 weeks
风险等级:2.13峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AIKW50N65DH5XKSA1 数据手册

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AIKW50N65DH5  
Highꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀfifthꢀgeneration  
HighꢀspeedꢀfastꢀIGBTꢀinꢀTRENCHSTOPTMꢀ5ꢀtechnologyꢀcopackedꢀwith  
RAPIDꢀ1ꢀfastꢀandꢀsoftꢀantiparallelꢀdiode  
C
E
FeaturesꢀandꢀBenefits:  
ꢀꢀꢀHighꢀspeedꢀH5ꢀtechnologyꢀoffering:  
•ꢀꢀBest-in-Classꢀefficiencyꢀinꢀhardꢀswitchingꢀandꢀresonant  
ꢀꢀꢀtopologies  
•ꢀꢀPlugꢀandꢀplayꢀreplacementꢀofꢀpreviousꢀgenerationꢀIGBTs  
•ꢀꢀ650Vꢀbreakdownꢀvoltage  
G
•ꢀꢀLowꢀgateꢀchargeꢀQG  
•ꢀꢀIGBTꢀcopackedꢀwithꢀRAPIDꢀ1ꢀfastꢀandꢀsoftꢀantiparallelꢀdiode  
•ꢀꢀMaximumꢀjunctionꢀtemperatureꢀ175°C  
•ꢀꢀDynamicallyꢀstressꢀtested  
•ꢀꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀAEC-Q101  
•ꢀꢀGreenꢀpackageꢀ(RoHSꢀcompliant)  
•ꢀꢀCompleteꢀproductꢀspectrumꢀandꢀPSpiceꢀModels:  
ꢀꢀꢀhttp://www.infineon.com/igbt/  
Applications:  
•ꢀꢀOff-boardꢀcharger  
•ꢀꢀOn-boardꢀcharger  
•ꢀꢀDC/DCꢀconverter  
•ꢀꢀPower-Factorꢀcorrection  
1
2
3
Packageꢀpinꢀdefinition:  
•ꢀꢀPinꢀ1ꢀ-ꢀgate  
•ꢀꢀPinꢀ2ꢀ&ꢀbacksideꢀ-ꢀcollector  
•ꢀꢀPinꢀ3ꢀ-ꢀemitter  
KeyꢀPerformanceꢀandꢀPackageꢀParameters  
Type  
VCE  
IC  
VCEsat,ꢀTvj=25°C Tvjmax  
1.66V 175°C  
Marking  
Package  
PG-TO247-3  
AIKW50N65DH5  
650V  
50A  
AK50EDH5  
Datasheet  
www.infineon.com  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ2.1  
2017-06-30  

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