5082-3080

更新时间： 2024-01-12 01:51:32

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安捷伦 - AGILENT		二极管开关射频开关测试衰减器
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描述
PIN Diodes for RF Switching and Attenuating

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5082-3080 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	应用：	ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压：	100 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.4 pF
标称二极管电容：	0.4 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	2.5 Ω	二极管电阻测试电流：	100 mA
二极管电阻测试频率：	100 MHz	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	反向测试电压：	50 V
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	NO
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

5082-3080 数据手册

PIN Diodes for RF Switching

and Attenuating

Technical Data

1N5719, 1N5767,

5082-3001, 5082-3039,

5082-3077, 5082-3080/81,

5082-3188, 5082-3379

0.41 (.016)

0.36 (.014)

The RF resistance of a PIN diode

is a function of the current

Features

• Low Harmonic Distortion

flowing in the diode. These

current controlled resistors are

specified for use in control

applications such as variable RF

attenuators, automatic gain

control circuits, RF modulators,

electrically tuned filters, analog

phase shifters, and RF limiters.

• Large Dynamic Range

• Low Series Resistance

• Low Capacitance

25.4 (1.00)

MIN.

1.93 (.076)

1.73 (.068)

Description/Applications

These general purpose switching

diodes are intended for low

power switching applications

such as RF duplexers, antenna

switching matrices, digital phase

shifters, and time multiplex

filters. The 5082-3188 is

4.32 (.170)

3.81 (.150)

CATHODE

Outline 15 diodes are available on

tape and reel. The tape and reel

specification is patterned after

RS-296-D.

25.4 (1.00)

MIN.

optimized for VHF/UHF

bandswitching.

DIMENSIONS IN MILLIMETERS AND (INCHES).

Outline 15

Maximum Ratings

Junction Operating and

Storage Temperature Range ................................................ -65°C to +150°C

Power Dissipation 25°C .....................................................................250 mW

(Derate linearly to zero at 150°C)

Peak Inverse Voltage (PIV) ........................................................ same as V

Maximum Soldering Temperature ....................................... 260°C for 5 sec

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