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AGB3301RS24Q1

更新时间： 2024-11-24 12:51:19

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ANADIGICS		射频微波
页数	文件大小	规格书
16页	1072K
描述
50ohm High Linearity Low Noise Wideband Gain Block

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AGB3301RS24Q1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-243
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	12 dB
最大输入功率 (CW)：	15 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	3	最大工作频率：	3000 MHz
最小工作频率：	250 MHz	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TO-243	电源：	9 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	130 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

AGB3301RS24Q1 数据手册

AGB3301

50Ω High Linearity Low Noise

Wideband Gain Block

Data Sheet - Rev 2.2

FEATURES

•

250 - 3000 MHz Frequency Range

+45 dBm Output IP3

Low Noise Figure: 2.4 dB at 900 MHz

13.5 dB Gain at 900 MHz

+24 dBm P1dB

SOT-89 Package

Single +5V to +9V Supply

Low Power: less than 1 Watt

Case Temperature: -40 to +100 ^oC

•

RoHS Compliant Package, 260 ^oC MSL-2

APPLICATIONS

•

Cellular Base Stations for W-CDMA, CDMA,

TDMA, GSM, PCS and CDPD systems

S24 Package

SOT-89

•

Fixed Wireless

MMDS/WLL

WLAN, HyperLAN

CATV

PRODUCT DESCRIPTION

The AGB3301 is one of a series of GaAs MESFET

amplifiers designed for use in applications

requiring high linearity, low noise and low distortion.

With a high output IP3, low noise ﬁgure and wide

band operation, theAGB3301 is ideal for 50Ω wireless

infrastructure applications such as Cellular Base

Stations, MMDS, and WLL. Offered in a low cost SOT-

89 surface mount package, the AGB3301 requires a

single +5V to +9V supply, and typically consumes less

than 1 Watt of power.

RF Input

RF Output

/ Bias

Figure 1: Block Diagram

03/2012

12 3 4 5 6 7...16

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